半导体量子ナノ构造の物理とデバイス応用

3.1 データ処理デバイス?マテリアル（微細CMOS、新原理スイッチ、3D集積　など）
3.4 データ生成デバイス?マテリアル（新原理センサデバイス　など）
3.7 先進デバイス?マテリアル評価計測技術（SEM、AFM、OCD、TEMなど）

平川一彦

生产技术研究所

教授　ナノ量子情报エレクトロニクス研究机构　机构长?教授

ナノメートル寸法の半导体构造（量子ナノ构造）の中では、量子力学に基づく様々な新しい物理现象が発现します。我々は、このような”量子半导体”の中で现れる新规な物理现象を解明するとともに、それらを制御することによりエレクトロニクスに新しい展开をもたらすことを目标に研究を行っております。特にテラヘルツ（罢贬锄）电磁波と呼ばれる超高周波の电磁波を用いた量子ナノ构造の电子状态やダイナミクスの解明、罢贬锄电磁波の発生?検出デバイス、新しい热电子冷却デバイスなどに重点を置いて研究を行っています。

単一自己组织化量子ドットトランジスタ
M. Jung, T. Machida, K. Hirakawa, S. Komiyama, T. Nakaoka, S. Ishida, and Y. Arakawa, Applied Physics Letters, vol. 87, No. 20, pp. 203109-1~3 (2005).

惭贰惭厂両持ち梁共振器を用いた高感度?高速テラヘルツボロメータ
Y. Zhang, Y. Watanabe, S. Hosono, Nagai, and K. Hirakawa, Applied Physics Letters, vol. 108, pp. 163503-1~4 (2016).

プロジェクトに関する鲍搁尝

共同実施者

东京大学
东北大学
东京农工大学
情报通信研究机构
エコールノルマルスーペリァ（フランス）
尝滨惭惭厂-颁狈搁厂（フランス）
トウェンテ大学（オランダ）

主な関连论文

N. Sekine and K. Hirakawa: "Dispersive terahertz gain of non-classical oscillator: Bloch oscillation in semiconductor superlattices”, Physical Review Letters, vol. 94, No. 5, 057408 (2005).
Y. Zhang, K. Shibata, N. Nagai, C. Ndebeka-Bandou, G. Bastard, and K. Hirakawa: “Terahertz intersublevel transitions in single self-assembled InAs quantum dots with variable electron numbers”, Nano Letters, vol. 15, pp. 1166~1170 (2015).
Y. Zhang, Y. Watanabe, S. Hosono, Nagai, and K. Hirakawa: “Room temperature, very sensitive thermometer using a doubly clamped microelectromechanical beam resonator for bolometer applications”, Applied Physics Letters, vol. 108, pp. 163503-1~4 (2016).
A. Yangui, M. Bescond, T. Yan, N. Nagai and K. Hirakawa: “Evaporative electron cooling in asymmetric double barrier semiconductor heterostructures”, Nature Communications, (2019)10: 4504.