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1．発表日时：2007年　1月　9日（火）　11：30～12：30

2．発表場所：東京大学 生産技術研究所　総合研究実験棟(An棟)3階大会議室
〒153-8505　目黒区驹场　4-6-1　驹场滨滨?リサーチキャンパス
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/map/index.html

3．発表タイトル：「高辉度発光ダイオード?レーザー用次世代窒化ガリウム结晶を実现」

4．発 表 者：藤岡　洋　教授（東京大学生産技術研究所　物質?環境系部門）

5．発表概要：
东京大学と神奈川科学技术アカデミー（碍础厂罢、理事长：藤嶋昭）は叁菱化学株式会社と共同で高辉度発光ダイオード?レーザーを実现する高品质な次世代窒化ガリウム薄膜の结晶成长を原子间隔の近い酸化亜铅基板と室温成长技术を用いることで実现いたしました。

6．発表内容：
窒化ガリウムは、青色発光ダイオードの発光素子材料として、1993年に実用化が开始されて以来、カラーディスプレーや信号机、携帯机器バックライト光源、高密度记録用レーザー等に広く利用されております。
今回开発に成功した次世代窒化ガリウム薄膜は无极性窒化ガリウムと呼ばれ、従来の有极性窒化ガリウムに比べ高い発光効率を実现する発光材料です。无极性窒化ガリウムが発光効率の改善に本质的に有用であることは既に理论的に予测されており、世界中の研究机関で开発が竞われていました。また、酸化亜铅という物质の原子间隔が窒化ガリウムと近いため酸化亜铅を结晶成长の基板に用いると良质な无极性窒化ガリウムが実现できる可能性があることも研究者の间では広く知られていました。しかしながら、酸化亜铅は窒化ガリウムとの反応性が高く通常の结晶成长温度（约1000℃）では激しい反応が起こり结晶が成长しないという问题がありました。
东京大学と神奈川科学技术アカデミーは叁菱化学株式会社と共同で结晶成长の温度を室温にまで低减させることによってこの反応を抑制することに成功いたしました。本技术を用いて作製した无极性窒化ガリウム结晶は、结晶の乱れ角が0.04～0.07度程度と极めて小さく、従来のもの（结晶の乱れ角0.5度程度）に比べ大幅に品质が向上しています。
この技术を用いれば、窒化ガリウム発光素子の発光効率を飞跃的に向上できると期待され、电球や蛍光灯に代わる半导体固体照明や超高速回路素子の実用化など、大きな波及効果が期待できます。特に発光ダイオードを用いた半导体固体照明は、电球や蛍光灯と比べて発热が少なく省エネルギーが実现できる、耐久时间が非常に长い、また水银などの有害物质を使用していないので环境への悪影响が少ないといった特徴があり、次世代の照明技术として大いに期待できます。

7．お问合せ先：东京大学生产技术研究所　藤冈研究室